Untersuchungsschwerpunkte sind * die in situ-Charakterisierung von mittels IBAD hergestellten Schichten aus kubischem Bornitrid und * Beiträge zur Aufklärung von Wachstumsmechanismen bei der MOVPE-Abscheidung von AIIIBV-Halbleitern. (Quelle: bmb+f Forschungslandkarte Deutschland 1998)
Damit ist er nach Diamant und Bornitrid und neben Stishovit das dritt- bis vierthärteste Material, das im Moment existiert. (Quelle: Spektrum der Wissenschaft 1999)
Tönshoff, Hans-Kurt Hannover Kontakterosion von Bornitrid in metallischer Bindung. (Quelle: Jahresbericht DFG 1995)
硼，
氮
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